無電解金メッキ
電子機器の小型化、高性能化に伴い、回路の微細化、複雑化が進み、電気的に孤立した回路への金メッキの必要性が高くなっています。
無電解金メッキには置換型と自己触媒型があります。
金はイオン化傾向が最も小さい金属であるため、置換メッキは容易に起こりますが、置換反応は素材表面を金が完全に覆うと停止してしまいます。
そこで、テトラヒドロホウ酸カリウム（水素化ホウ素カリウム）またはＤＭＡＢを還元剤とする強アルカリ性の自己触媒型無電解金メッキ浴（シアン浴）が開発されましたが、メッキの析出速度が遅い、浴の安定性が十分でない、ニッケルによる汚染に非常に敏感であるなどの問題点があります。
無電解銀メッキ
銀はイオン化傾向の小さい金属であり、金と同様、容易に置換メッキが起こります。
古くから、ガラス鏡の製造に利用されてきた銀鏡反応は還元剤による銀の析出であるが、この反応は被メッキ物表面だけに限らず、溶液を入れた容器などにおいても同様に反応が起こってしまいます。
ですので、銀鏡反応を行う際には、銀溶液と還元剤溶液を直前に混合するか、それぞれの溶液を同時に被メッキ物に吹き付けて反応させる必要があります。
銀溶液は硝酸銀溶液にアンモニア水を加えて、銀アンモニア錯イオンとしたもの、また還元剤にはぶどう糖、グリオキザール、ホルマリン、ロッシェル塩などが使用されています。
厚付け用自己触媒型無電解銀めっきとして、ＤＭＡＢを還元剤とするシアン浴の例があります。
無電解パラジウム
電子機器の高密度化､高機能化､製造コスト削減を考慮する場合､無電解パラジウムメッキの電子部品への適用が期待されます。
エチレンジアミンを錯化剤とし､次亜リン酸塩を還元剤とする自己触媒型無電解パラジウムメッキ浴が開発されました。
この浴はノーシアン浴であり､中性､低温で使用できるため､作業性がよく､耐アルカリ性､耐熱性に問題のある複合材料からなる電子部品、あるいは電気的に孤立した回路などへの適用が期待されています。
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